음...출력이 높다고 댐핑팩터가 높을까요????







출력이 높다고 해도 출력 반도체를 FET 를 사용하면 댐핑팩터는 같은 숫자의 TR 을 사용해서 같은 출력을 구성할때보다 댐핑팩터가 높을수가 없습니다.





FET 는 기본적으로 TR 보다 자체 저항이 높으니까요.







뭐 드레인 손실이 낮은 FET 여러개를 병렬로 구동하면 또 댐핑팩터를 높이는 것이 가능합니다.







댐핑팩터라는 것이.









스피커 저항 / 출력 반도체 내부 저항값 = 댐핑팩터







이런 공식이 있으니까요.









헌데 왜? 대체적으로 대출력 파워앰프는 댐핑팩터가 높은 것일까요?????





이유는 다른것이 아니라 저출력 앰프는 1조의 TR 이나 FET 를 사용해도 되는 것을 대출력을 구성하다 보니 여러조의 TR 이나 FET 를 병렬구동해서 높은 출력을 구현하다 보니~~~ 소 뒷걸음 질 치다 쥐 잡듯이 아주 높은 댐핑팩터를 구현하게 되는 것이지요.





저출력 앰프도 일부로 댐핑팩터를 높이기 위해서 음질 저하를 감수하면서 여러개의 TR 이나 FET 를 병렬 구동 시키면 역시나 아주 아주 높은 댐핑팩터 구현이 가능합니다.







여러개의 반도체 소자를 병렬 구동하는 것 보다는 싱글로 구동하는 것이 중고음의 해상도나 기타의 특성은 더 좋게 나옵니다.





청감상은 더 말할것도 없구요.









그러니께 이글을 작성하는 이유는 "저출력 앰프니까 댐핑팩터가 낮을 것이다" 라는 것은 성급한 일반화의 오류라는 것이지요.







보통 댐팽팩터는 실제 10~30 만 나오면 문제 없다고 하지요.





댐핑팩터를 10 을 목표로 하고 스피커를 8 옴 연결을 목표로 한다면 출력 반도체 내부 저항값을 0.8 옴 이하의 소자를 채택하면 되는 것이지요.







헌데 싱글 소자로 충분한 출력을 구현가능한데 댐핑팩터를 높이고 싶다면?????





내부 저항값이 보다 낮은 TR 이나 FET 를 채택하던지 아니면 같은 TR 이나 FET 를 여러개 채용하면 되지요.





내부 저항값 0.8 옴 TR 이나 FET 를 10 조 병렬 구동하면 병렬 합성 저항값에 의해서



내부 저항값을 병렬 저항은 0.8/ 10 조 = 0.08 옴 으로 줄어드는 마법이 발생하니까요.







같은 TR 이나 FET 를 여러개 병렬 구동한것만으로 댐핑팩터가 10 에서 100 으로 증가한 것이죠.









그러면 이 이외에는 댐핑팩터를 증가시키는 방법이 없는가? 하면 그렇지도 않습니다.







다음 방법이 액티브 멀티앰핑이 있습니다.







액티브 멀티앰핑은 앰프와 중간에 있는 스피커 네트워크를 제거하기 때문에 스피커 네트워크가 가진 저항값이 사라진 만큼 댐핑팩터가 증가합니다.







스피커 네트워크 보면 코일도 있고 저항도 있고 콘덴서도 있지요.





저항은 당연하고 코일에는 짧게는 수십 CM 의 전기선에서 많게는 수 미터의 전기선이 감겨 있으니까요.





오디오 애호가들이 전기 저항 줄인다고 무산소 동선 구입하고 은납으로 납땜하고 기타를 하는데 스피커 내부에서는 이를 무색하게 엄청난 전기 저항 증가 요인을 태생적으로 가지고 있다는 얘기지요.







높은 댐팽을 가진 앰프를 구입하는 것도 하나의 방법이지만 스피커 네트워크를 제거하는 액티브 멀티앰핑도 하나의 방법이라는 얘기지요.





그것도 낮은 출력의 앰프에서도 스피커 네트워크를 제거함으로써 필연적으로 증가하지요.어떤 앰프를 사용하건 말입니다.







요는 앰프 출력과 댐핑팩터는 별 관련없고 설계 사상을 어떻게 가져가냐에 따라서 다르다 라는 결론이지요.





오디오관련 미신을 전기 전자 이론으로 파고들어서 들여다 보면 "뭐 대단한거 있나?" 라는 반문이 저절로 들게 됩니다.