저는 사드배치에 대해, 국내배치는 아무런 소용이 없고 외교분쟁만 일으키기 때문에 절대반대 의견입니다만 그렇다고 이런 엉터리 기사가 떠돌아서는 안되겠죠.

반대주장 자료로 이런 미확인 기사를 인용하면 오히려 역풍을 맞을 수도 있습니다. 

아마 급속도로 인터넷에서 퍼져나갈 것 같은데, 오역입니다. 

Power Radiation은 방사선 방출이 아닙니다. 그냥 출력손실때문에 신소재로 교체한다는 이야기로 보입니다. 기자가 해석한 문장에도 성능개선용이라고 되어 있고 유해성에 대해서는 단 한마디도 나오지 않습니다. 

그리고 사드레이더의 전자파 유해성에 대해서는 어느 누구도 부정하지 않습니다. 그 거리에 대해서만 갑론을박하고 있죠. 찬성쪽에서는 근거리, 반대쪽에서는 장거리를 주장하고 있습니다. 


인터넷에서 보게 되면 그냥 웃어넘기면 됩니다. 

[단독] 사드 레이더 ‘고출력 방사선 방출’ 인정, 제작사 개량 착수

http://www.vop.co.kr/A00001078411.html

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사드 레이더 제작사인 미국 방산업체 "레이시온(Raytheon)" 사는 지난 9월 30일(현지 시간), 배포한 보도자료를 통해 사드 레이더를 총괄하는 미 국방부 미사일방어국(MDA)과 기존 사드 레이더 개량 사업에 관한 계약을 체결했다고 밝혔다. 이 개량 사업은 기존 사드 레이더가 "갈륨 아사나이드(Gallium Arsenide, GaAs)" 방식을 사용하던 것을 "갈륨 나이트라이드(Gallium Nitride, GaN)" 방식으로 전환하겠다는 것이다. 레이더 모듈 방식에 적용되는 이 선진 기술은 현재 각종 군사 레이더가 업그레이드 중이며 사드 레이더도 이 방식으로 개량하겠다는 것이다.

레이시온 사는 보도자료에서 "기존 시스템의 쇠퇴(obsolescence)를 막고 탄도미사일 방어의 현대화를 위해 개량을 결정했다"며 "이 기술은 저 비용으로 탐지와 구별 능력을 향상시킬 것"이라고 밝혔다. 특히 "기존 (GaAs) 방식의 레이더는 고출력 방사선을 방출하는(emit high power radiation) 모듈 방식으로 돼 있어서, 레이시온 사와 미사일방어국은 (신형) "갈륨 나이트라이드" 요소를 도입함으로써 장치 개량(retrofit)을 추구해 왔다"고 강조했다.





GAN이 무엇인지 팩트체크를 했다면 이런 황당한 오역을 막을 수 있었겠죠.

GaN, 차세대 전력 반도체 패권에 도전

http://www.elec4.co.kr/article/articleView.asp?idx=3226

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SiC와 GaN의 와이드 갭 반도체는 인버터와 컨버터 등 전력 변환기의 손실을 대폭 줄일 수 있는 차세대 전력 반도체로 주목받고 있다. 현재 미국, 유럽, 일본의 선도 업체들뿐만 아니라, 중국 등 아시아 업체들도 SiC, GaN 기반의 전력 반도체 개발에 적극적으로 참여하고 있다. SiC에 비해 GaN은 고속 스위칭이 가능하나 노멀리 오프 동작이 어렵다는 약점으로 인해 개발이 더디 진행돼 왔다. 그러나 GaN의 장점을 활용하려는 업계의 노력이 서서히 결실을 맺어가고 있다.