http://electronics.stackexchange.com/questions/19714/adding-voltage-cutoff-to-a-circuit

원본은 위 링크에 있는 회로인데요..

만들어보니 단번에 잘 작동하네요..


위 회로도의 TLV431은 저는 그냥 TL431을 썼습니다.  만일 3.3V정도의 낮은 전압에서

사용하려면 TLV431을 써줘야 하더군요..



히스테리시스 기능이 있어서 아주 휼륭하네요..

용량을 키우려면 FET를 IRFZ44 를 병렬연결하던지,   FET에 방열판을 하나 달아주면 더 좋구요..

하면 될것 같네요


IRFZ44 가 40A가까이 흘리는데 아마 방열판 장착 기준이구요,  실용적으로 두서너게 병렬 연결하면

충분할것 같네요.. 그냥 위 회로에 병렬로 어부바 하면 됩니다.




만일 9V에서 전원 차단을 하게 볼륨을 조작해 두었다면...

나중이 다시 켤때는 10V정도가 넘어야 켜지게 되는데, 이게 히스테리시스 기능으로

어중간한 전압에서 껏다켜졌다 반복하면서 장비가 망가지거나 열이나는현상이 없네요..



이 회로의 용도는 납베터리등이 과방전되는걸 방지하는 용도이구요...

기존 상용제품도 있으나,  위와같이  만들어 쓸수도 있어서 올려봅니다.



그리고 TINA  무료 시뮬레이션 프로그램으로 간단히 시뮬레이션한 그래프도 함께 올렸습니다.

요런거 할때 참 편리해요.. 헛된 삽질을 줄여주기 때문에..






위 사진은 단순한 히스테리시스 기능 없는건데, 실패했습니다.

오프전압에서  다시 켜지기를 반복하면서, 일종의 레귤레이터가 되더군요

12V동작 장비에 3-4V의 전원이 계속 인가되면서 오동작..


게다가 위 회로는 P체널 FET를 사용하는지라,  애초에 턴온시 저항이 높아서

별로였고...



저는 원래 만능기판만 애용하는데,  빵판도 한번 생애 최초로 써봤는데  신뢰성 면에서

별로 만족스럽지는 않지만 편리하기는 하더군요...


근데 저의 뇌세포가 만능기판 위주로 최적화 된지라...

다음꺼 부터는 그냥 만능기판에 땜질을...












그래서 위 기판이  올린 회로도로 만든 히스테리시스 기능이 있는 버전입니다.

가지고 있는 부품을 활용하느라고, 저항도 직렬 병렬해서 용량 맞추었고,


 IRFz44 가 없어서 , FET도 5A 800V짜린데 이걸 썼더니 용량 부족으로 열이 많이 나서

두개를 어부바 해서 5A정도 최대전류 먹는 기기에 연결하니 잘 되네요..


또 구하기 쉽고 가격도 싸고,  저항치도 적은 N체널 FET를 쓸수있으니 더 좋네요..


그럼 이만


(추가)

위 회로에서 R5 값을 10k옴 정도 주면 히스테리시스가 5V

50K옴을 주면 1.7V ,  100K를 주면 1V 정도가 되네요..


R5를 반고정 저항을 써서 히스테리시스 값을 변화시키는편이

사용하기 편리할듯 합니다.





10k







50k







100k